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FT8393MDD1-DRB是什么芯片?5V3.4A離線式PSR恒流恒壓控制芯片解析
類別:產(chǎn)品新聞 發(fā)布時(shí)間:2025-12-08 14:29:48 瀏覽人數(shù):14007

FT8393MDD1-DRB 是FMD推出的 原邊反饋(PSR)恒流/恒壓控制器,內(nèi)部集成 650 V 功率 MOSFET,采用 SOP-7 封裝,目標(biāo)功率 5 V/3.4 A(17 W)。最大亮點(diǎn):無(wú)需光耦、無(wú)需 TL431、無(wú)需次級(jí)電流檢測(cè),即可實(shí)現(xiàn) ±3 % 恒壓精度、±5 % 恒流精度,輕松滿足 DoE Level VI 能效,專為 USB 快充、機(jī)頂盒輔助電源、無(wú)線路由器適配器而設(shè)計(jì)。

典型應(yīng)用電路:2 顆電阻 1 顆電容完事


BOM 極簡(jiǎn)


  • 電流檢測(cè):Rcs 一顆 1 % 電阻
  • 電壓反饋:RFBU、RFBD 兩顆 1 % 電阻
  • VCC 電容:10 μF/25 V X7R
  • 輸出電容:470 μF ×2(低 ESR)
  • 無(wú) Y 電容設(shè)計(jì),傳導(dǎo) EMI 余量 > 6 dB



管腳封裝與定義(SOP-7)



Pin名稱描述
1VCC芯片電源 9-25 V,內(nèi)部 14.7 V 啟動(dòng),7 V UVLO
2FB輔助繞組分壓輸入,2 V 基準(zhǔn),內(nèi)置線補(bǔ)
3NC懸空,Layout 做 1 mm 隔離
4CS原邊電流檢測(cè),500 mV 閾值,350 ns LEB
5,6DRAIN內(nèi)部 650 V MOSFET 漏極,連續(xù) 1.4 A,峰值 4 A
7GND信號(hào)地 + 功率地


內(nèi)部框圖:一顆芯片 = 控制器 + MOSFET + 保護(hù)器



關(guān)鍵模塊


  • QR 控制:谷底導(dǎo)通,最高 115 kHz,效率提升 2 %
  • 線補(bǔ):隨負(fù)載增大自動(dòng)抬高 FB 基準(zhǔn),補(bǔ)償電纜壓降 3 %/6 %/9 % 可選
  • CC 算法:原邊 Ipks 采樣 + 退磁時(shí)間計(jì)算,恒流精度 ±5 %
  • CV 算法:輔助繞組平臺(tái)電壓與 2 V 基準(zhǔn)比較,恒壓精度 ±3 %


電氣亮點(diǎn)速覽


參數(shù)數(shù)值備注
啟動(dòng)電流3 μA1 MΩ 啟動(dòng)電阻即可,待機(jī) < 75 mW
工作電流0.4 mAVCC 電容 10 μF 足夠
電流限制500 mVRcs = 0.5 Ω → Ipks = 1 A
過(guò)溫保護(hù)155 ℃10 ℃ 遲滯,自恢復(fù)
電纜補(bǔ)償3 % 固定MDD1 后綴已固化,無(wú)需外調(diào)
傳導(dǎo) EMI余量 > 6 dB抖頻 + 谷底導(dǎo)通


調(diào)試錦囊


  1. CC 點(diǎn)校準(zhǔn)
    IOUT = 0.5 × Kcc × NPS / Rcs
    Kcc = 500 mV,NPS = Np/Ns,Rcs 1 % 精度即可
  2. 線補(bǔ)選型
    MDD1 = 3 % 固定;MDD2 = 6 %;MDD3 = 9 %,根據(jù)電纜長(zhǎng)度選
  3. QR 變壓器
    漏感 < 5 μH,諧振頻率 600 kHz-1 MHz,避免谷底錯(cuò)位
  4. EMI 優(yōu)化
    DRAIN 鋪銅 < 8 mm × 8 mm,RCD 吸收并 100 pF 小電容,抑制振鈴



實(shí)測(cè)效率(Demo 板 5 V/3.4 A)


輸入電壓115 VAC230 VAC
平均效率87.3 %87.9 %
10 % 負(fù)載81.2 %81.8 %
待機(jī)功耗68 mW74 mW
輸出紋波60 mV65 mV
芯片溫升38 ℃35 ℃


深圳三佛科技提供技術(shù)支持,批量?jī)r(jià)格有優(yōu)勢(shì)~


一句話總結(jié)


FT8393MDD1-DRB 用 一顆 SOP-7 芯片 + 2 顆電阻 + 1 顆電容 就把 17 W 快充做成“三無(wú)”產(chǎn)品:
無(wú)光耦、無(wú) TL431、無(wú)次級(jí)電流檢測(cè)
下次做 5 V 3.4 A 適配器,記住:
“MDD1 一貼,BOM 省一半,認(rèn)證一次過(guò)。”

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